Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 231 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4394
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW25N120E1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IHW25N120E1XKSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 231W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 21.1mm | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 231W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 21.1mm | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Höhe 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-IGBT der Serie IHW mit umgekehrter Leitfähigkeit 1200 V, 25 A mit monolithisch integrierter Diode in einem TO-247-Gehäuse mit Schwerpunkt auf Systemeffizienz und Zuverlässigkeit für die anspruchsvollen Anforderungen der Induktionskochanlage. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und 25 A Kollektorstrom.
Einfache Parallelschaltung durch positiven Temperaturkoeffizient
Optimiert für Leistung mit Schaltfrequenzen von 18 kHz bis 40 kHz
Niedrige Verluste tragen dazu bei, dass Designs die Energieeffizienzstandards erfüllen
Drop-In-Ersatz für vorhandene Designs
Weiches Schalten für gutes EMI-Verhalten
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