Infineon IGBT / 50 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 222-4801
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4801
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Gehäusegröße | AG-EASY2B. | |
| Channel-Typ | N | |
| Transistor-Konfiguration | Single & Common Emitter | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Gehäusegröße AG-EASY2B. | ||
Channel-Typ N | ||
Transistor-Konfiguration Single & Common Emitter | ||
Das Infineon EasyPIM TM 2B 1200 V, 50 A dreiphasiger Eingangsgleichrichter-PIM (Power Integrated Modules) IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT7, Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie.
Geringe VCEsat
Trenchstop ® IGBT7
Überlastbetrieb bis zu 175 °C.
2,5 kV AC, 1 min Isolierung
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Design
Presssitz-Kontakttechnologie
Trenchstop ® IGBT7
Überlastbetrieb bis zu 175 °C.
2,5 kV AC, 1 min Isolierung
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Hohe Leistungsdichte
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