Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI
- RS Best.-Nr.:
- 215-6661
- Herst. Teile-Nr.:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Hersteller:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 53 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V | |
| Verlustleistung max. | 141 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3-AI | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 53 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V | ||
Verlustleistung max. 141 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3-AI | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gatter, kopiert mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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