STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
204-3945
Herst. Teile-Nr.:
STGWA20HP65FB2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Ursprungsland:
CN
Das 650-V-IGBT der Serie HB2 von STMicroelectronics ist eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trunk Gate Field-Stop-Struktur. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert. Die für Schutzzwecke verwendete A-Diode ist nur antiparallel mit dem IGBT verpackt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen zu maximieren.

Maximale Anschlusstemperatur von 175 °C

Mitgepackte Schutzdiode

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver Temperaturkoeffizient

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