STMicroelectronics IGBT / 40 A, 600 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 9,24

(ohne MwSt.)

€ 11,08

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 25. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 4,62€ 9,24
10 - 18€ 4,345€ 8,69
20 - 48€ 4,11€ 8,22
50 - 98€ 3,89€ 7,78
100 +€ 3,70€ 7,40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
792-5791
Herst. Teile-Nr.:
STGW40H60DLFB
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

40A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

283W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.15 mm

Höhe

20.15mm

Serie

H

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links