STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
202-5518
Herst. Teile-Nr.:
STGWA40IH65DF
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

238 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Der weich schaltende IGBT der Serie STMicroelectronics IH wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Feldstoppstruktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für weiche Kommutierung optimiert ist.

Diode mit niedrigem Spannungsabfall und Freilauf in kopaketiertem Gehäuse
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

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