onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 238 W, 3-Pin D2PAK N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
185-7972
Herst. Teile-Nr.:
AFGB40T65SQDN
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

238 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

D2PAK

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.58mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Nennleistung

22.3mJ

Gate-Kapazität

2495pF

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Ursprungsland:
CN
Einsatz des neuartigen Feldstops IGBT-Technologie der 4. Generation. AFGB40T65SQDN bietet die optimale Leistung mit geringer Leitungsdämpfung und Schaltdämpfung für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen.

VCE(sat) = 1,6 V (typ.) @ IC = 40 A
Koverpackte Diode mit niedriger VF-Empfindlichkeit
Für die Automobilindustrie
Geringer Leitungsverlust
Geringes Rauschen und Leitungsverlust
Anwendungen
Kfz-Bordgebühr
KFZ-DC/DC-Wandler für HEV
Endprodukte
EV/PHEV

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