STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
192-4655
Herst. Teile-Nr.:
STGWT20H65FB
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

40 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

168 W

Gehäusegröße

TO

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Ursprungsland:
KR
Diese Geräte sind IGBTs, die mit einem Advanced-eigenen Trench Gate und einer Feldstoppstruktur entwickelt wurden. Das Gerät ist Teil der neuen IGBTs der HB-Serie, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren. Darüber hinaus sorgen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C.
Hochgeschwindigkeits-Schaltserie
Minimierter Endstrom
VCE(sat)= 1,55 V (typ.) @ IC= 20 A
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelschaltung
Niedriger Wärmewiderstand
Bleifreies Gehäuse

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