STMicroelectronics IGBT / 20 A, 600 V 25 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 42,35

(ohne MwSt.)

€ 50,80

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50€ 0,847€ 42,35
100 - 200€ 0,825€ 41,25
250 - 450€ 0,804€ 40,20
500 +€ 0,784€ 39,20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-6468
Herst. Teile-Nr.:
STGP10NC60KD
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

20A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

9.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links