STMicroelectronics IGBT / 6 A, 1200 V 25 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 10,98

(ohne MwSt.)

€ 13,175

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 2,196€ 10,98
25 - 45€ 2,086€ 10,43
50 - 120€ 1,88€ 9,40
125 - 245€ 1,69€ 8,45
250 +€ 1,608€ 8,04

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
795-9094
Herst. Teile-Nr.:
STGF3NC120HD
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

6A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Höhe

16.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links