onsemi IGBT / 10 A, 430 V 130 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 166-3807
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V2040D3ST
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 430V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 200mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 430V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±10 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie EcoSPARK | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 200mJ | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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