onsemi IGBT / 10 A, 430 V 130 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
166-3807
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V2040D3ST
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

430V

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±10 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

EcoSPARK

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Energie

200mJ

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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