Infineon IGBT / 200 A, 750 V 750 W, 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 285-001
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQB160N75CP2AKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 285-001
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQB160N75CP2AKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 750V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 750W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 22.9mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Höhe | 5.44mm | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 750V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 750W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 22.9mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Höhe 5.44mm | ||
Breite 15.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IGBT ist ein kurzschlussfester 750 V EDT2 IGBT, der speziell für Hochleistungsanwendungen in reflow-lötbaren Gehäusen entwickelt wurde. Diese Spitzenkomponente zeichnet sich durch Effizienz und Zuverlässigkeit aus, womit sie ideal für harte Schalttopologien mit bis zu 10 kHz geeignet ist. Mit einer weichen und schnellen Erholungsdiode verpackt. Das Gehäuse ist kompatibel mit fortschrittlichen Löttechniken und sorgt für robuste Verbindungen in anspruchsvollen Umgebungen. Dieser für industrielle Anwendungen optimierte IGBT ermöglicht eine bessere Steuerung von Antriebsstrangmodulen und allgemeinen Antrieben und bestätigt damit seine wertvolle Rolle in der modernen Elektronik. Durch die strenge Validierung nach JEDEC-Standards ist dieses Produkt der Inbegriff von Zuverlässigkeit, Sicherheit und Leistung in der Leistungselektronik.
Bietet niedrige Sättigungsspannung für Effizienz
Verbessert die thermische Leistung durch robuste Widerstandsfähigkeit
Ideal für anspruchsvolle Industrieumgebungen mit hoher Zuverlässigkeit
Optimiert für Reflow-Lötprozesse
Gewährleistet Kurzschlussfestigkeit für Sicherheit
Minimiert Schaltverluste für Systemeffizienz
Lieferung mit PSpice-Modellen zur einfachen Simulation
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 160 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 200 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 160 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N N-Kanal