ROHM IGBT / 8 A, 650 V 62 W, 3-Pin TO-252GE Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
265-325
Herst. Teile-Nr.:
RGT8BM65DGTL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Gehäusegröße

TO-252GE

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Serie

RFN

Automobilstandard

Nein

Die ROHM IGBTs tragen zur Energieeinsparung bei, haben einen hohen Wirkungsgrad und eignen sich für eine Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Der IGBT zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter aus, was ihn für verschiedene Anwendungen sehr effizient macht. Er bietet eine Kurzschlussfestigkeit von 5 Mikrosekunden und gewährleistet damit eine robuste Leistung unter Fehlerbedingungen. Zusätzlich ist er mit einer eingebauten sehr schnellen und sanft erholenden Fast-Recovery-Diode der RFN-Serie ausgestattet.

Geringer Schaltverlust

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-Konformität

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