ROHM IGBT / 12 A ±30V max. , 650 V 62 W, 3-Pin To-252GE N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
265-325
Herst. Teile-Nr.:
RGT8BM65DGTL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Dauer-Kollektorstrom max.

12 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

62 W

Gehäusegröße

To-252GE

Konfiguration

Single

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Die ROHM IGBTs tragen zur Energieeinsparung bei, haben einen hohen Wirkungsgrad und eignen sich für eine Vielzahl von Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Der IGBT zeichnet sich durch eine niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter aus, was ihn für verschiedene Anwendungen sehr effizient macht. Er bietet eine Kurzschlussfestigkeit von 5 Mikrosekunden und gewährleistet damit eine robuste Leistung unter Fehlerbedingungen. Zusätzlich ist er mit einer eingebauten sehr schnellen und sanft erholenden Fast-Recovery-Diode der RFN-Serie ausgestattet.

Geringer Schaltverlust
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität

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