Renesas Electronics Gate-Treiber-Modul MOSFET 1.69 mA 10-Pin SOIC 100 V 790 ns

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RS Best.-Nr.:
264-3550
Herst. Teile-Nr.:
HIP2210FRTZ
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

1.69mA

Pinanzahl

10

Abfallzeit

790ns

Gehäusegröße

SOIC

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

20ns

Minimale Versorgungsspannung

100V

Maximale Versorgungsspannung

100V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Breite

4 mm

Serie

HIP2210

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Die Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber von Renesas Electronics. Dies ist ein dreistufiger PWM-Eingang mit programmierbarer Leerlaufzeit. Sein großer Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis

18-V- und integrierter High-Side-Bootstrap unterstützt Dioden, die den High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen antreiben.

Integrierte 0,5 Ω typische Bootstrap-Diode

Robuste Störtoleranz

VDD- und Boot-Unterspannungsabschaltung

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