Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul NMOS 3 A, 4 A 6 → 18V 10-Pin TDFN 365ns

Der Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber von Renesas mit 100 V, 3 A-Quelle, 4 A-Senke gehört zur Serie HIP2210. Dieser Treiber hat eine 10-polige Konfiguration. Er verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit. Sein großer Betriebsspannungsbereich von 6 V bis 18 V und die integrierte High-Side-Bootstrap-Diode unterstützen das Ansteuern der High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen.

Die maximale Bootstrap-Versorgungsspannung von 115 V DC unterstützt 100 V auf der Halbbrücke
Schnelle Ausbreitungsverzögerung und -anpassung: 15 ns typische Verzögerung, 2 ns typische Anpassung (HIP2211)
Integrierte typische Bootstrap-Diode von 0,5 Ω
Großer Betriebsspannungsbereich von 6 V bis 18 V
VDD- und Boot-Unterspannungsverriegelung (UVLO)