Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 600 mA 8-Pin SOIC 20V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-4003
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2008STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-IC | |
| Ausgangsstrom | 600mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 170ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-IC | ||
Ausgangsstrom 600mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 170ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber-IC der IRS-Serie von Infineon, 10 V minimale Versorgungsspannung, 20 V maximale Versorgungsspannung – IRS2008STRPBF
Dieser Gate-Treiber-IC ist für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs innerhalb eines Versorgungsfensters mit mittlerem Bereich für den Einsatz in Leistungselektronikschaltkreisen konzipiert. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem SOIC-Gehäuse nach Industriestandard geliefert. Das Gerät liefert einen moderaten Ausgangsstrom, um Gates effizient zu schalten und gleichzeitig den Umweltstandards zu entsprechen.
Merkmale und Vorteile:
• 600 mA Ausgangsstrom ermöglicht effektive MOSFET-Gate-Ladung
• Abfallzeit von 30 ns reduziert Schaltverluste bei Abschaltung
• 170 ns Anstiegszeit-Einschalt-di/dt-Steuerung für stabile Schaltvorgänge
• Die Nennleistung von -40 bis 150 °C unterstützt den Betrieb bei einem breiten Temperaturbereich
• Das 8-polige SOIC-Gehäuse vereinfacht die Leiterplatten-Abmessungen und die Montage
• Abfallzeit von 30 ns reduziert Schaltverluste bei Abschaltung
• 170 ns Anstiegszeit-Einschalt-di/dt-Steuerung für stabile Schaltvorgänge
• Die Nennleistung von -40 bis 150 °C unterstützt den Betrieb bei einem breiten Temperaturbereich
• Das 8-polige SOIC-Gehäuse vereinfacht die Leiterplatten-Abmessungen und die Montage
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Gate-Ansteuerung in MOSFET-basierten Wandlern
• Ideal für Leistungsschaltstufen in industriellen Versorgungsanlagen
• Wird mit Halbbrücken- und Totempol-Konfigurationen verwendet
• Kann für Gate-Steuerkreise mit Motorantrieb verwendet werden
• Geeignet für kompakte, platinenmontierte Stromversorgungsmodule
• Ideal für Leistungsschaltstufen in industriellen Versorgungsanlagen
• Wird mit Halbbrücken- und Totempol-Konfigurationen verwendet
• Kann für Gate-Steuerkreise mit Motorantrieb verwendet werden
• Geeignet für kompakte, platinenmontierte Stromversorgungsmodule
Welcher Versorgungsbereich ist für den korrekten Betrieb erforderlich?
Er erfordert eine Versorgungsspannung zwischen 10 V und 20 V.
Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?
Er ist für den Betrieb bei Temperaturen von -40 °C bis 150 °C ausgelegt.
Welche Verpackung und wie viele Stifte sollten Entwickler erwarten?
Er wird in einem SOIC-Gehäuse mit 8 Stiften geliefert.
Wie passt die Ausgangskapazität zu den MOSFET-Gate-Anforderungen?
Das Gerät liefert 600 mA Gate-Drive-Strom, um Gate-Kapazitäten schnell zu laden und zu entladen.
Gibt es Umwelt- oder Regulierungsattribute?
Er erfüllt die RoHS-Umweltanforderungen.
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