Infineon Gate-Treiber-Modul Gate-Treiber 15 A 8-Pin PG-DSO-8 40 V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-0587
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3120MU12HXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0587
- Herst. Teile-Nr.:
- 1ED3120MU12HXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-Modul | |
| Ausgangsstrom | 15A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PG-DSO-8 | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Minimale Versorgungsspannung | 40V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 40V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-Modul | ||
Ausgangsstrom 15A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PG-DSO-8 | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Minimale Versorgungsspannung 40V | ||
Maximale Versorgungsspannung 40V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Gate-Treiber-ICs von Infineon sind galvanisch isolierte Ein-Kanal-Gate-Treiber-ICs für IGBT, MOSFET und SiC MOSFET in PG-DSO-8-Gehäuse. Sie bieten einen typischen Ausgangsstrom von bis zu 14,0 A auf getrennten Quellen- und Abwasserstiften oder einen typischen Ausgangsstrom von 10,0 A mit einer zusätzlichen 3,0 A aktiven Fräserklemme. Die Logik-Eingangsstifte arbeiten über einen großen Eingangsspannungsbereich von 3 V bis 15 V mit CMOS-Schwellenwerten zur Unterstützung von 3,3-V-Mikrocontrollern. Die Datenübertragung über die Trennbarriere erfolgt durch die kernlose Transformatortechnologie. Alle Varianten verfügen über Logikeingang und Treiberausgang unter Spannungsverriegelung und aktive Abschaltung.
Einkanal-isolierter Gate-Treiber
Für den Einsatz mit 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs
Bis zu 14,0 A typischer Spitzenausgangsstrom
40 V absolute maximale Ausgangsspannung
Hohe Gleichtakt-Übergangsimmunität CMTI > 200 kV/μs
Galvanisch isolierter Trafo-Gate-Treiber ohne Kern
3,3 V und 5 V Eingangsspannung
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