Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 4 A 8-Pin SOIC-8 20V 18 ns
- RS Best.-Nr.:
- 257-5870
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS21867STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-IC | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 18ns | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 38ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | IRS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-IC | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 18ns | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 38ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie IRS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber-IC der IRS-Serie von Infineon, 10 V Mindestversorgung, 4 A Ausgangsstrom – IRS21867STRPBF
Dieser Gate-Treiber-IC wurde für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs in industriellen Leistungselektronikanwendungen entwickelt. Er arbeitet mit niedrigen bis mittleren Versorgungsschienen und wird in einem kompakten SOIC-8-Gehäuse geliefert, das für die Montage auf Platinenebene in Umgebungen mit hohen Temperaturen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 4 A Ausgangsstrom für schnelle Schaltübergänge
• Minimale Versorgung von 10 V ermöglicht einen Niederspannungs-Gate-Antrieb
• Maximale Versorgung von 20 V für Gate-Spannungen im mittleren Bereich
• 38 ns Anstiegszeit reduziert die Einschaltverzögerung
• Abfallzeit von 18 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltreaktion
• Minimale Versorgung von 10 V ermöglicht einen Niederspannungs-Gate-Antrieb
• Maximale Versorgung von 20 V für Gate-Spannungen im mittleren Bereich
• 38 ns Anstiegszeit reduziert die Einschaltverzögerung
• Abfallzeit von 18 ns ermöglicht eine schnelle Abschaltreaktion
Anwendungsbereich
• Geeignet für MOSFET-Antriebe in Leistungswandlern
• Ideal für die Gate-Ansteuerung in Motorsteuerungsstufen
• Wird mit Schaltstufen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Kann für Hochtemperatur-Stromversorgungen verwendet werden
• Ideal für die Gate-Ansteuerung in Motorsteuerungsstufen
• Wird mit Schaltstufen in industriellen Wechselrichtern verwendet
• Kann für Hochtemperatur-Stromversorgungen verwendet werden
In welchem Gehäusetyp ist er erhältlich?
Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Welchen Betriebstemperaturbereich verträgt er?
Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C.
Wie erfüllt das Gerät die Umweltvorschriften?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.
Ist er für Automobilstandards spezifiziert?
Es ist nicht für die Einhaltung von Automobilstandards vorgesehen.
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