Infineon Gate-Treiber -414.2 mA 2 8-Pin DSO-8 25 V 80 ns

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 1,87

(ohne MwSt.)

€ 2,244

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 450 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 0,935€ 1,87
20 - 48€ 0,805€ 1,61
50 - 98€ 0,76€ 1,52
100 - 198€ 0,71€ 1,42
200 +€ 0,66€ 1,32

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-0871
Herst. Teile-Nr.:
2ED2108S06FXUMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber

Ausgangsstrom

-414.2mA

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

DSO-8

Abfallzeit

80ns

Anstiegszeit

200ns

Minimale Versorgungsspannung

650V

Anzahl der Treiber

2

Maximale Versorgungsspannung

25V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Serie

2ED2108S6F

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit integrierter Bootstrap-Diode verfügt über die einzigartige Dünnschicht-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) von Infineon und Interlock-Funktion mit interner Totzeit von 540 ns und ist bis zu 5 us mit externem Widerstand programmierbar. Die Hoch- und Niederspannungs-Pins sind getrennt für maximale Rastung und Freigabe (2ED21084S06J-Version) und verfügen über getrennte Logik und Masse mit der 2ED21084S06J-Version.

Negative VS transiente Immunität von 100 V

Schwebender Kanal für Bootstrap-Betrieb

Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand

Schmitt-Trigger-Eingänge mit Hysterese

Dual-Gehäuse-Optionen von DSO-8 und DSO-14

Verwandte Links