Infineon Gate-Treiber Gate-Treiber 290 mA 2 8-Pin DSO-8 20 V 35 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-0605
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0605
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED21091S06FXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 290mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO-8 | |
| Abfallzeit | 35ns | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 100ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | 2ED21091S6F | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 290mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO-8 | ||
Abfallzeit 35ns | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 100ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie 2ED21091S6F | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 650-V-Halbbrücken-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber von Infineon mit typischem 0,29-Quellstrom und 0,7-Sinkstrom im DSO-8-Gehäuse. Basierend auf der SOI-Technologie von Infineon mit ausgezeichneter Robustheit und Störfestigkeit gegen negative Überspannungen am VS-Stift. Keine parasitären Thyristorstrukturen im Gerät vorhanden, daher keine parasitären Verriegelungen bei allen Temperatur- und Spannungsbedingungen.
Integrierte ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand senkt die BOM-Kosten
Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Unabhängige Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Der DT/SD-Eingang mit Zweifunktion schaltet beide Kanäle ab
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