onsemi IGBT-Modul IGBT 7 A 8-Pin SOIC 20 V 15 ns
- RS Best.-Nr.:
- 230-9042
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57084DR2G
- Hersteller:
- onsemi
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- NCD57084DR2G
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Ausgangsstrom | 7A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 15ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | IGBT | |
| Anstiegszeit | 10ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | NCD57084 | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Ausgangsstrom 7A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 15ns | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ IGBT | ||
Anstiegszeit 10ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie NCD57084 | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Die on Semiconductor Serie NCx57084 ist ein Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner 2,5-kV-eff-galvanischer Trennung für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Der Treiber umfasst DESAT-Kurzschlussschutz mit weicher Abschaltung und Fehlerbericht in einem schmalen SOIC-8-Gehäuse. NcX57084 bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und einen großen Bereich von Ausgangsspannungen von bis zu 30 V.
Hoher Peak Ausgangsstrom (+7 A/-7 A)
Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Übereinstimmung
Hohe transiente und elektromagnetische Störfestigkeit
Integrierte galvanische Isolierung mit 2,5 kV eff
Große Bias-Spannungsbereiche und Eingangsspannungsbereich
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