onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 20 V 13 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 10,57

(ohne MwSt.)

€ 12,685

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 31. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 2,114€ 10,57
50 - 95€ 1,822€ 9,11
100 - 495€ 1,58€ 7,90
500 - 995€ 1,39€ 6,95
1000 +€ 1,264€ 6,32

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
221-6660
Herst. Teile-Nr.:
NCV57080BDR2G
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

8

Abfallzeit

13ns

Gehäusegröße

SOIC

Anzahl der Ausgänge

5

Treiber-Typ

IGBT

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

22V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Serie

NCx57080y

Höhe

1.75mm

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCD57080B ist ein Hochstrom-IGBT-Einkanal-Gate-Treiber mit 3,75 kVeff interner galvanischer Trennung, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Das Gerät akzeptiert komplementäre Eingänge und bietet je nach Pinkonfiguration Optionen wie aktive Miller Clamp, negatives Netzteil und separaten hohen und niedrigen Treiberausgang für Systemkonzeption.

Hohe transiente Störfestigkeit

Hohe elektromagnetische Störfestigkeit

Kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung

Verwandte Links