Infineon MOSFET MOSFET 260 mA 14-Pin SOIC 16.6 V 100 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6216
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2453DSTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IRS2453DSTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 260mA | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 100ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 4 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 120ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 16.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | IRS | |
| Breite | 3.99 mm | |
| Länge | 8.74mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 260mA | ||
Pinanzahl 14 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 100ns | ||
Anzahl der Ausgänge 4 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 120ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 16.6V | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie IRS | ||
Breite 3.99 mm | ||
Länge 8.74mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IRS2453 ist ein selbstschwingender Halbbrücken-Gate-Treiber-IC und verfügt über einen Hochspannungs-Vollbrückentortreiber mit einem Front-End-Oszillator, ähnlich dem Industriestandard-CMOS 555-Timer. HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Störfestigkeit wird mit niedriger di/dt Peak des Gate-Treibers erreicht.
Logikpegel verriegeltem Abschaltstift
Nicht verriegelte Abschaltung am CT-Stift
Interne Bootstrap-FETs
Ausgezeichnete Latch-Immunität an allen Eingängen und Ausgängen
ESD-Schutz an allen Stiften
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