Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20 V 65 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6194
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2118STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2118STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 290mA | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 65ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Anstiegszeit | 75ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | IRS | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 290mA | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 65ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Anstiegszeit 75ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie IRS | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IRS2118 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber für Hochspannung und hohe Geschwindigkeit. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS-Ausgängen. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Querleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hoch- oder Niederspannungsseiten-Konfiguration anzutreiben, die bis zu 600 V arbeitet
Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V.
Unterspannungsschutz
CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down
Ausgang in Phase mit Eingang
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