Infineon Gate-Treiber MOSFET 2.5 A 2 8-Pin DSO 25V 30 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6029
- Herst. Teile-Nr.:
- 2ED2182S06FXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 30ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 15ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.72mm | |
| Serie | 2ED2182 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.9mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 30ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 15ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Maximale Versorgungsspannung 25V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.72mm | ||
Serie 2ED2182 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.9mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 2ED2182S06F ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Es basiert auf SOI-Technologie und bietet eine ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit mit der Fähigkeit, die Betriebslogik bei negativen Spannungen von bis zu - 11 Von VS-Pin bei transienter Spannung aufrechtzuerhalten. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Betriebsspannungen (VS-Knoten) bis zu +650 V
Maximale Bootstrap-Spannung (VB-Knoten) von + 675 V.
Integrierte, ultraschnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
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