Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 2 8-Pin SOIC 200 V 25 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- IR1168STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4951
- Herst. Teile-Nr.:
- IR1168STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 25ns | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 80ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 200V | |
| Anzahl der Treiber | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Serie | IR11682S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 25ns | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 80ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 200V | ||
Anzahl der Treiber 2 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Serie IR11682S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 200 V Dual Smart sekundärseitige Hochgeschwindigkeits-SR-Controller in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse.
Sekundärseitiger Hochgeschwindigkeitsregler für synchrone Gleichrichtung in resonanten Halbbrückentopologien
Proprietäre 200-V-IC-Technologie
Max. 500 kHz Schaltfrequenz
Anti-Prellen-Logik und UVLO-Schutz
4 A Peak Ausschaltstrom
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