Infineon Gate-Treiber-Modul MOSFET 420 A 2 AG-ECONOD 23V 77 ns

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RS Best.-Nr.:
351-898
Herst. Teile-Nr.:
FF1MR12MM1HB11BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Ausgangsstrom

420A

Gehäusegröße

AG-ECONOD

Abfallzeit

77ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

261ns

Minimale Versorgungsspannung

10V

Maximale Versorgungsspannung

23V

Anzahl der Treiber

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FF1MR12MM1H_B11

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das Infineon EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul 1200 V, 1,4 mΩ bietet verbesserte Generation 1, NTC- und Press FIT-Kontakttechnologie. Auch mit vorappliziertem Wärmeleitmaterial erhältlich oder mit Wellenstruktur auf der Rückseite der Grundplatte für direkte Flüssigkeitskühlung erhältlich.

Geringe Schaltverluste

Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit

Höhere Gate-Schwellenspannung

Höhere Leistungsabgabe

Robuste integrierte Body-Diode

Hohe Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung

Hochgeschwindigkeits-Schaltmodul

Schraubklemmanschlüsse

Integrierter NTC-Temperatursensor

Isolierte Grundplatte

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