Infineon FRAM 4 kB, 512 x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7386
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L04B-G
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4kB | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 20MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4kB | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 20MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Der FRAM von Infineon ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM werden Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durchgeführt. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass eine Datenabfrage erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine hohe Schreibbeständigkeit.
RoHS-Konformität
Niedriger Energiebedarf
Sehr schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle
Ausgefeiltes Schreibschutzsystem
Hohe Ausdauer, 100 Billionen Lese- und Schreibleistung
Erweiterter ferroelektrischer Prozess mit hoher Zuverlässigkeit
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