Infineon FRAM 4 MB, 512K x 8 bit Seriell-SPI SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5266
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
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- CY15B104QSN-108SXI
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein leistungsstarker, nicht flüchtiger 4-Mbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch serielles Flash und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-Konformität
Niederspannungsbetrieb
Softwareblock-Schutz
Serielle Bus-Schnittstellen-SPI-Protokolle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Einfach- und Mehrfach-E/S-Serielle Peripherie-Schnittstelle
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