Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
266-8508P
Herst. Teile-Nr.:
CY15B104QN-50SXI
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

512k x 8

Schnittstellentyp

SPI

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

50MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Normen/Zulassungen

Restriction of hazardous substances (RoHS)

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-40°C

Minimale Versorgungsspannung

1.8V

Anzahl der Bits pro Wort

8

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Wörter

512K

Ursprungsland:
US
Infineons Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Das Produkt bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.

Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor-F-RAM

Hochentwickeltes Schreibschutzverfahren

Schnelle serielle Peripherieschnittstelle

Geringer Stromverbrauch

Niederspannungsbetrieb

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