Infineon FRAM 4 MB, 512K x 8 bit Seriell-SPI SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-5264
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104QN-50SXA
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 512K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Taktfrequenz max. | 50MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 Klasse 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 512K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Taktfrequenz max. 50MHz | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 Klasse 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein leistungsstarker, nicht flüchtiger 4-Mbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch serielles Flash und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Softwareblock-Schutz
Serielle Bus-Schnittstellen-SPI-Protokolle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Einfach- und Mehrfach-E/S serielle Peripherie-Schnittstelle
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