Infineon FRAM 4 MB Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz