Infineon FRAM 4 MB, 512k x 8 Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
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