Infineon FRAM-Speicher 4MB, 512 K x 8 Quad-SPI SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Organisation | 512 K x 8 | |
| Interface-Typ | Quad-SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Organisation 512 K x 8 | ||
Interface-Typ Quad-SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz
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