Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 550ns I2C SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,65 V

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RS Best.-Nr.:
181-8319P
Herst. Teile-Nr.:
FM24CL04B-GTR
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4kbit

Organisation

512 M x 8 Bit

Interface-Typ

I2C

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

550ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Länge

4.97mm

Arbeitsspannnung max.

3,65 V

Breite

3.98mm

Höhe

1.47mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Anzahl der Wörter

512M

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Automobilstandard

AEC-Q100

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100° A Wirkstrom bei 100 kHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

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