Infineon FRAM 4 kB, 512M x 8 Bit 550 ns Oberfläche SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-8247
Herst. Teile-Nr.:
FM24CL04B-GTR
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4kB

Organisation

512M x 8 Bit

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

550ns

Taktfrequenz max.

1MHz

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Breite

3.98 mm

Höhe

1.38mm

Länge

4.97mm

Normen/Zulassungen

No

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

Betriebstemperatur min.

-40°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Maximale Versorgungsspannung

3.65V

Anzahl der Wörter

512M

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8

Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)

151 Jahre Datenspeicherung

NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)

Bis zu 1 MHz Frequenz

Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM

Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz

Geringer Stromverbrauch

100° A Wirkstrom bei 100 kHz

Standby-Strom von 3° A (typ.)

Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V

Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.

8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

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