STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 60 V 4 A NPN HFE:750, SOT-32 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 313-6944
- Herst. Teile-Nr.:
- BD677
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 4A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-32 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 750 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 60V | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BD677 | |
| Höhe | 10.8mm | |
| Länge | 7.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 0.2mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 4A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 60V | ||
Gehäusegröße SOT-32 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 750 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 60V | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BD677 | ||
Höhe 10.8mm | ||
Länge 7.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 0.2mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics
Bipolare Transistoren, STMicroelectronics
Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.
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