Renesas Electronics Darlington-Transistor 1 80 V 4 A NPN HFE:750, SOT-32 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 109-084
- Herst. Teile-Nr.:
- BD679
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 4A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 80V | |
| Gehäusegröße | SOT-32 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 750 | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 80V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 7.8mm | |
| Serie | BD679 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 10.8mm | |
| Breite | 2.7 mm | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 0.2mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 4A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 80V | ||
Gehäusegröße SOT-32 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 750 | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 80V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 7.8mm | ||
Serie BD679 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 10.8mm | ||
Breite 2.7 mm | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 0.2mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
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