STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 80 V 8 A NPN HFE:750, TO-220 3-Pin

Diese Kategorie anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 5,96

(ohne MwSt.)

€ 7,15

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 110 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 930 Einheit(en) mit Versand ab 15. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 1,192€ 5,96
25 - 45€ 1,132€ 5,66
50 - 120€ 1,02€ 5,10
125 - 245€ 0,92€ 4,60
250 +€ 0,872€ 4,36

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
486-0042
Herst. Teile-Nr.:
BDX53B
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

80V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

750

Betriebstemperatur min.

-65°C

Polarität des Transistors

NPN

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

80V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

BDX53B

Länge

10.4mm

Höhe

9.15mm

Kollektor-Sperrstrom max.

0.2mA

Automobilstandard

Nein

NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics


Bipolare Transistoren, STMicroelectronics


Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.

Verwandte Links