onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A NPN HFE:200, TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 463-016
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD112T4G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 2A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 200 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 100V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Serie | MJD112 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 20μA | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 2A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 200 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 100V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Serie MJD112 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 20μA | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
NPN Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Standards
Hersteller-Teilenummern mit dem Präfix S oder NSV sind gemäß AEC-Q101-Standard qualifiziert.
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