onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 2 A NPN HFE:200, TO-252 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
463-016
Herst. Teile-Nr.:
MJD112T4G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

2A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

200

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Polarität des Transistors

NPN

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Serie

MJD112

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.38mm

Kollektor-Sperrstrom max.

0.02mA

Automobilstandard

AEC-Q101

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

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