Renesas Electronics 64MBit LowPower SRAM 4M, 16bit / Wort, FBGA 48-Pin

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
767-5963
Herst. Teile-Nr.:
R1WV6416RBG-7SI#B0
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

64MBit

Organisation

4 MB x 16 bit

Anzahl der Wörter

4M

Anzahl der Bits pro Wort

16bit

Zugriffszeit max.

70ns

Low Power

Ja

Timing Typ

Asymmetrisch

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

FBGA

Pinanzahl

48

Abmessungen

8.5 x 11 x 0.8mm

Höhe

0.8mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

11mm

Länge

8.5mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Ursprungsland:
JP

SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1WV, Renesas Electronics


Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1WV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.

Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.


SRAM (Static Random Access Memory)

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