Renesas Electronics 1 MB SRAM 64K, 16 / Wort 48-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 113,20

(ohne MwSt.)

€ 135,85

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
50 - 95€ 2,264
100 - 245€ 2,02
250 - 495€ 1,97
500 +€ 1,958

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-1296P
Herst. Teile-Nr.:
71V016SA12PHG8
Hersteller:
Renesas Electronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Organisation

64k x 16

Anzahl der Wörter

64K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

20ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Pinanzahl

48

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Länge

18.41mm

Serie

IDT71V016

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.16 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

170mA

Ursprungsland:
TW
Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM von Renesas Electronics ist als 64 K x 16 organisiert. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen.

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten