Renesas Electronics 4MBit SRAM
- RS Best.-Nr.:
- 262-8976
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L10PHGI
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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- RS Best.-Nr.:
- 262-8976
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L10PHGI
- Hersteller:
- Renesas Electronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
Der CMOS-SRAM von Renesas Electronics ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des SRAM sind LVTTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.
JEDEC-Mittelstrom-/GND-Pinout für geringeres Rauschen.
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Einfaches 3,3-V-Netzteil
Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift
Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt
Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen
Aktivierungsstifte für obere und untere Byte
Einfaches 3,3-V-Netzteil
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4MBit |
| Organisation | 256K x 16 |
| Zugriffszeit max. | 15ns |
- RS Best.-Nr.:
- 262-8976
- Herst. Teile-Nr.:
- 71V416L10PHGI
- Hersteller:
- Renesas Electronics