Renesas Electronics 4 MB CMOS-Statik-RAM 512K, 8 / Wort, TSOP-44 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
250-3460
Herst. Teile-Nr.:
71V424S10PHG
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MB

Produkt Typ

CMOS-Statik-RAM

Organisation

512 k x 8 Bit

Anzahl der Wörter

512K

Anzahl der Bits pro Wort

8

Zugriffszeit max.

10ns

Minimale Versorgungsspannung

3V

Timing Typ

Asynchron

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

0°C

Gehäusegröße

TSOP-44

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Länge

18.41mm

Breite

10.16 mm

Normen/Zulassungen

No

Serie

IDT71V424

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Der statische RAM von Renesas Electronics besteht aus einem 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, das als 512K x 8 organisiert ist und in hochleistungsfähiger und zuverlässiger CMOS-Technologie hergestellt wird. Diese hochmoderne Technologie bietet in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken eine kosteneffiziente Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicheranforderungen.

Er verfügt über einen Ausgangsfreigabe-Pin, der bis zu 5ns schnell arbeitet, mit Adresszugriffszeiten von bis zu 10 ns

Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des IDT71V424 sind TTL-kompatibel

Es wird ein vollständig statischer, asynchroner Schaltkreis verwendet, der keine Takte oder Refreshs für den Betrieb benötigt

Er verfügt über ein JEDEC Centre Power/GND-Pinout für reduziertes Rauschen

Bietet einen niedrigen Stromverbrauch durch Chip-Deselect

Der industrielle Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C ist für ausgewählte Geschwindigkeiten verfügbar

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