Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 250-0190P
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
4 MB Advanced LPSRAM (256 Wörter x 16 Bit)
Die Serie RMLV0416E ist eine Familie von statischen 4-Mbit-RAMs, die 262, 144-Wörter x 16 Bit organisiert sind und mit den leistungsstarken Advanced LPSRAM-Technologien von Renesas hergestellt werden. Die Serie RMLV0416E bietet eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen niedrigen Stromverbrauch. Die Serie RMLV0416E bietet eine niedrige Standby-Leistungsverlust und ist daher für Batterie-Backup-Systeme geeignet. Er wird als 44-poliges TSOP (II) oder 48-Kugel-Kugelgitter-Array mit feinem Rastermaß angeboten.
Wichtigste Merkmale:
- Einfache 3-V-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V
- Zugriffszeit: 45 ns (max.)
- Stromverbrauch: Standby: 0,3 μA (typ.)
- Gleichzeitiger Zugriff und Zykluszeiten
- Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang, Dreistatausgang
- Direkt TTL-kompatibel Alle Eingänge und Ausgänge
- Batterie-Backup-Betrieb
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4MBit |
| Organisation | 256 K x 16 |
| Anzahl der Wörter | 256k |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
| Zugriffszeit max. | 45ns |
| Low Power | Ja |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | TSOP |
| Pinanzahl | 44 |
| Abmessungen | 18.41 x 10.16 x 1mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Länge | 18.41mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Breite | 10.16mm |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
- RS Best.-Nr.:
- 250-0190P
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- Hersteller:
- Renesas Electronics