Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-3401
Herst. Teile-Nr.:
CY7C109D-10VXIT
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

1MBit

Organisation

128 K x 8

Anzahl der Wörter

128k

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

10ns

Ursprungsland:
US
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C109B/CY7C1009B.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Optionen
CY7C109D erhältlich in bleifreien 32-poligen 400-mil-breiten geformten SOJ- und 32-poligen TSOP I-Gehäusen. CY7C1009D erhältlich in Pb-freiem 32-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse

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