EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 μH 650mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz
- RS Best.-Nr.:
- 167-0301
- Herst. Teile-Nr.:
- B82432T1103K000
- Hersteller:
- EPCOS
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- EPCOS
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- HU
Informationen zur Produktgruppe
Epcos-Drahtinduktivitäten der Serie 1812 B82432T SIMID
Drahtinduktivitäten der Serie B82432T SIMID
Hohe Strombelastbarkeit, 70 bis 1300 mA
Nenninduktivität 1 bis 1000 μH
Temperaturbereich bis +150 °C
Anwendungsbereich: Filtern von Versorgungsspannungen, Kopplung, Entkopplung, DC/DC-Wandler, Kfz-Elektronik (z. B. einadrige Bus-Systeme), Telekommunikation und Industrieelektronik
Hohe Strombelastbarkeit, 70 bis 1300 mA
Nenninduktivität 1 bis 1000 μH
Temperaturbereich bis +150 °C
Anwendungsbereich: Filtern von Versorgungsspannungen, Kopplung, Entkopplung, DC/DC-Wandler, Kfz-Elektronik (z. B. einadrige Bus-Systeme), Telekommunikation und Industrieelektronik
SMD-Induktivitäten 1812 (Drosseln)
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Induktivität | 10 μH |
Gleichstrom max. | 650mA |
Gehäuse-Form | 1812 (4532M) |
Länge | 4.5mm |
Tiefe | 3.2mm |
Automobilstandard | AEC-Q200 |
Höhe | 3.2mm |
Abmessungen | 4.5 x 3.2 x 3.2mm |
Geschirmt | Ja |
Toleranz | ±10% |
Gleichstromwiderstand max. | 350mΩ |
Serie | SIMID |
Kernmaterial | Ferrit |
Resonanzfrequenz max. | 25MHz |
Formteil | Ja |
Betriebstemperatur max. | +150°C |
Betriebstemperatur min. | -55°C |
Qualitätsfaktor min. | 10 |
Induktivitätsbauweise | Ferritkern |