ISSI SDRAM 8 MB 8MB x 32 bit Oberfläche 32 bit 6 ns TSOP II 86-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 648-093
- Herst. Teile-Nr.:
- IS42S32800J-6TL
- Hersteller:
- ISSI
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ISSI | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 8MB x 32 bit | |
| Datenbus-Breite | 32bit | |
| Taktfrequenz max. | 166MHz | |
| Zugriffszeit max. | 6ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TSOP II | |
| Pinanzahl | 86 | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | IS42S32800J | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Versorgungsstrom | 140mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 4.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ISSI | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 8MB x 32 bit | ||
Datenbus-Breite 32bit | ||
Taktfrequenz max. 166MHz | ||
Zugriffszeit max. 6ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TSOP II | ||
Pinanzahl 86 | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie IS42S32800J | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Versorgungsstrom 140mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 4.6V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der ISSI 256-Mb-SDRAM ist ein dynamischer CMOS-Hochgeschwindigkeitsspeicher mit zufälligem Zugriff, der für 3,3-V-Vdd- und 3,3-V-Vddq-Systeme entwickelt wurde und 268435456 Bits enthält. Er ist intern als Vier-Banken-DRAM mit einer synchronen Schnittstelle organisiert, wobei jede 67108864-Bit-Banke in 4096 Zeilen mit 512 Spalten mit 32 Bit angeordnet ist. Das Gerät unterstützt den AUTO-REFRESH-Modus und einen stromsparenden Abschaltmodus. Alle Signale werden auf der positiven Kante des Taktsignals CLK aufgezeichnet.
LLVTTL-Schnittstelle
Automatische Aktualisierung (CBR)
Selbstaktualisierung
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