Alliance Memory SDRAM 4 GB 256M x 16 Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 3.5 ns 200-Kugel TFBGA 200-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 425-215
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C256M16MD4V-062BAN
- Hersteller:
- Alliance Memory
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- 425-215
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- AS4C256M16MD4V-062BAN
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | |
| Speicher Größe | 4GB | |
| Produkt Typ | SDRAM | |
| Organisation | 256M x 16 | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Taktfrequenz max. | 1.6GHz | |
| Zugriffszeit max. | 3.5ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | 200-Kugel TFBGA | |
| Pinanzahl | 200 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Serie | AS4C256M16MD4V | |
| Normen/Zulassungen | RoHS-compliant | |
| Breite | 0.65 mm | |
| Länge | 14.60mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1.95V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.06V | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Alliance Memory | ||
Speicher Größe 4GB | ||
Produkt Typ SDRAM | ||
Organisation 256M x 16 | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Taktfrequenz max. 1.6GHz | ||
Zugriffszeit max. 3.5ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße 200-Kugel TFBGA | ||
Pinanzahl 200 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Serie AS4C256M16MD4V | ||
Normen/Zulassungen RoHS-compliant | ||
Breite 0.65 mm | ||
Länge 14.60mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Maximale Versorgungsspannung 1.95V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.06V | ||
Automobilstandard AEC | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der DDR4 SDRAM ist ein dynamischer Hochgeschwindigkeitsspeicher von Alliance Memory mit wahlfreiem Zugriff, der intern in acht Bänken organisiert ist. DDR4-SDRAM verwendet eine 8n-Präferenzarchitektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Der Betrieb beginnt mit der Registrierung eines Aktivierungsbefehls, auf den dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.
ZQ Kalibrier-Service
Konform mit JEDEC-Standard
Write Leveling
RoHS-Konformität
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