Nisshinbo Micro Devices Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SOP-8, biplor typ. 18 V, biplor typ. 4 V, 8-Pin Nein
- RS Best.-Nr.:
- 244-9757
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM072CG-TE2
- Hersteller:
- Nisshinbo Micro Devices
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- NJM072CG-TE2
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- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 6 mV | |
| Eingangsruhestrom | 400 pA | |
| Slew Rate | 13V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | NJM | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 50 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 6 mV | ||
Eingangsruhestrom 400 pA | ||
Slew Rate 13V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie NJM | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 50 pA | ||
Der rauscharme Eingangs-Operationsverstärker von New Japan Radio zeichnet sich durch eine geringe harmonische Verzerrung und ein geringes Rauschen aus, wodurch er sich ideal für Verstärker mit hoher Wiedergabetreue und Audioverstärkeranwendungen eignet.
Breiter Stromversorgungsbereich
Interner ESD-Schutz
Menschliches Körpermodell
Hoher Eingangswiderstand
Breiter Temperaturbereich
Bipolare Technologie
Hohe Anstiegsfrequenz
Breite Einheitsverstärkungs-Bandbreite
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