Nisshinbo Micro Devices Operationsverstärker Oberfläche 4 MHz DIP-8, biplor typ. 18V, biplor typ. 4 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 803-195
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM4565E-TE2
- Hersteller:
- Nisshinbo Micro Devices
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- RS Best.-Nr.:
- 803-195
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM4565E-TE2
- Hersteller:
- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DIP-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 4MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Eingangsruhestrom | 50 nA | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 0.5 mV | |
| Slew Rate | 4V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -20°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 75°C | |
| Serie | NJM4565 | |
| Ausgangsstrom | 25mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 2 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DIP-8 | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 4MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Eingangsruhestrom 50 nA | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 0.5 mV | ||
Slew Rate 4V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -20°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 75°C | ||
Serie NJM4565 | ||
Ausgangsstrom 25mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 2 nA | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Operationsverstärker von Nisshinbo Micro Devices bietet eine hohe Verstärkung mit großer Bandbreite und wurde für die effektive Ansteuerung von Lasten entwickelt. Sein fortschrittliches Design sorgt für geringes Rauschen, was ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Audio- und Signalanwendungen macht.
Betriebsspannungsbereiche von ±4 V bis ±18 V
Lieferung eines breiten Verstärkungsbandbreitenprodukts von typischerweise 4 MHz
Typische Anstiegsrate von 4 V/μs verbessert das Einschwingverhalten
Erhältlich in verschiedenen Gehäuseformaten für vielseitige Integration