STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 4 MHz SOIC, biplor typ. 32V, biplor typ. 6 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 102-9430
- Herst. Teile-Nr.:
- LF351D
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 102-9430
- Herst. Teile-Nr.:
- LF351D
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 4MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 32V | |
| Slew Rate | 16V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 13 mV | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Eingangsruhestrom | 20 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | LF351 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Ausgangsstrom | 60mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 4 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 4MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 32V | ||
Slew Rate 16V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 13 mV | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Eingangsruhestrom 20 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie LF351 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.25mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Ausgangsstrom 60mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 4 nA | ||
LF347, LF351, LF353, JFET-Eingänge, Operationsverstärker mit geringen Eingangsruhe- und Offsetströmen.
Die LF347, LF351 und LF353 sind Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker mit JFET-Eingang, die über angepasste Hochspannungs-JFET- und bipolare Transistoren verfügen. Sie verfügen über hohe Anstiegsgeschwindigkeiten, geringe Eingangsruhe- und Offsetströme und einen niedrigen Offsetspannungs-Temperaturkoeffizienten.